Թիրախային տեխնոլոգիայի կիրառման և սկզբունքի մասին որոշ հաճախորդներ դիմել են RSM-ին, այժմ այս խնդրի համար, որն ավելի շատ մտահոգում է, տեխնիկական փորձագետները կիսում են որոշակի հատուկ գիտելիքներ:
Sputtering թիրախային հավելված.
Լիցքավորող մասնիկները (օրինակ՝ արգոնի իոնները) ռմբակոծում են պինդ մակերեսը՝ պատճառ դառնալով, որ մակերևութային մասնիկները, ինչպիսիք են ատոմները, մոլեկուլները կամ կապոցները, փախչում են օբյեկտի երևույթի մակերևույթից, որը կոչվում է «ցնցում»:Մագնետրոնային ցրման ծածկույթում արգոնի իոնացման արդյունքում առաջացած դրական իոնները սովորաբար օգտագործվում են պինդը (թիրախը) ռմբակոծելու համար, իսկ ցրված չեզոք ատոմները դրվում են ենթաշերտի (մշակման մասի) վրա՝ թաղանթային շերտ ձևավորելու համար:Մագնետրոնային ցողման ծածկույթն ունի երկու հատկանիշ՝ «ցածր ջերմաստիճան» և «արագ»:
Մագնետրոնային ցրման սկզբունքը.
Ուղղանկյուն մագնիսական դաշտ և էլեկտրական դաշտ ավելացվում է ցցված թիրախային բևեռի (կաթոդի) և անոդի միջև, և պահանջվող իներտ գազը (սովորաբար Ar գազ) լցվում է բարձր վակուումային պալատում:Մշտական մագնիսը թիրախ նյութի մակերևույթի վրա ձևավորում է 250-350 Գաուսի մագնիսական դաշտ և բարձր լարման էլեկտրական դաշտով ձևավորում է ուղղանկյուն էլեկտրամագնիսական դաշտ:
Էլեկտրական դաշտի ազդեցության տակ Ar գազը իոնացվում է դրական իոնների և էլեկտրոնների, և թիրախի վրա կա որոշակի բացասական բարձր ճնշում, ուստի թիրախ բևեռից արտանետվող էլեկտրոնները ազդում են մագնիսական դաշտի և աշխատանքի իոնացման հավանականության վրա: գազը ավելանում է.Կաթոդի մոտ ձևավորվում է բարձր խտության պլազմա, և Ar իոնները Լորենցի ուժի ազդեցությամբ արագանում են դեպի թիրախ և մեծ արագությամբ ռմբակոծում թիրախային մակերեսը, այնպես որ թիրախի վրա ցրված ատոմները բարձր արագությամբ փախչում են թիրախի մակերեսից։ կինետիկ էներգիա և թռչել ենթաշերտ՝ իմպուլսի փոխակերպման սկզբունքով թաղանթ կազմելու համար։
Մագնետրոնային թրթռումը սովորաբար բաժանվում է երկու տեսակի՝ DC թրթռում և RF թրթռում:DC sputtering սարքավորումների սկզբունքը պարզ է, իսկ արագությունը արագ է, երբ մետաղը sputtering.RF sputtering-ի օգտագործումը ավելի լայն է, ի լրումն հաղորդիչ նյութերի ցրման, բայց նաև ոչ հաղորդիչ նյութերի ցրման, ինչպես նաև օքսիդների, նիտրիդների և կարբիդների և այլ բաղադրյալ նյութերի ռեակտիվ ցողման պատրաստման:Եթե ՌԴ-ի հաճախականությունը մեծանում է, այն դառնում է միկրոալիքային պլազմային ցողում:Ներկայումս սովորաբար օգտագործվում է էլեկտրոնային ցիկլոտրոնային ռեզոնանսային (ECR) տիպի միկրոալիքային պլազմային ցողում։
Հրապարակման ժամանակը՝ օգ-01-2022