Հրակայուն վոլֆրամի մետաղները և վոլֆրամի համաձուլվածքները ունեն բարձր ջերմաստիճանի կայունության, էլեկտրոնների միգրացիայի նկատմամբ բարձր դիմադրության և էլեկտրոնների արտանետումների բարձր գործակիցի առավելությունները:Բարձր մաքրության վոլֆրամի և վոլֆրամի համաձուլվածքների թիրախները հիմնականում օգտագործվում են դարպասի էլեկտրոդների, միացման լարերի, կիսահաղորդչային ինտեգրալ սխեմաների դիֆուզիոն խոչընդոտների շերտերի պատրաստման համար:Նրանք ունեն շատ բարձր պահանջներ մաքրության, կեղտոտ տարրերի պարունակության, խտության, հատիկների չափի և նյութերի միատեսակ հատիկ կառուցվածքի վերաբերյալ:Եկեք նայենք բարձր մաքրության վոլֆրամի թիրախի պատրաստման վրա ազդող գործոններինby Rich Special Material Co., Ltd.
I. Պղտորման ջերմաստիճանի ազդեցությունը
Վոլֆրամի թիրախային սաղմի ձևավորման գործընթացը սովորաբար կատարվում է սառը իզոստատիկ ճնշման միջոցով:Վոլֆրամի հատիկը կմեծանա սինթրման ժամանակ։Վոլֆրամի հատիկի աճը կլրացնի բյուրեղային սահմանների միջև եղած բացը, դրանով իսկ մեծացնելով վոլֆրամի թիրախի խտությունը:Ախտացման ժամանակների ավելացման հետ աստիճանաբար դանդաղում է վոլֆրամի թիրախի խտության աճը:Հիմնական պատճառն այն է, որ վոլֆրամի թիրախային նյութի որակը շատ չի փոխվել մի քանի սինթրման գործընթացներից հետո:Քանի որ բյուրեղային սահմանի բացերի մեծ մասը լցված է վոլֆրամի բյուրեղներով, վոլֆրամի թիրախի ընդհանուր չափի փոփոխության արագությունը շատ փոքր է յուրաքանչյուր սինթրման գործընթացից հետո, ինչը հանգեցնում է վոլֆրամի թիրախային խտության մեծացման սահմանափակ տարածության:Երբ սինթրինգը շարունակվում է, վոլֆրամի մեծ հատիկները լցվում են բացերի մեջ, ինչը հանգեցնում է ավելի խիտ թիրախի՝ ավելի փոքր չափի:
2. Ազդեցությունhուտելու պահպանման ժամանակը
Միևնույն սինթրման ջերմաստիճանում վոլֆրամի թիրախային նյութի կոմպակտությունը բարելավվում է սինթրման ժամանակի ավելացմամբ:Պղտորման ժամանակի ավելացման հետ վոլֆրամի հատիկի չափը մեծանում է, իսկ ցրման ժամանակի երկարացմամբ հացահատիկի չափի աճի գործոնը աստիճանաբար դանդաղում է։Սա ցույց է տալիս, որ սինթերման ժամանակի ավելացումը կարող է նաև բարելավել վոլֆրամի թիրախի կատարումը:
3. Գլորման ազդեցությունը թիրախ Պկատարումը
Վոլֆրամի թիրախային նյութերի խտությունը բարելավելու և վոլֆրամի թիրախային նյութերի մշակման կառուցվածքը ստանալու համար վոլֆրամի թիրախային նյութերի միջին ջերմաստիճանի գլանումը պետք է իրականացվի վերաբյուրեղացման ջերմաստիճանից ցածր:Երբ թիրախային բլանկի գլորման ջերմաստիճանը բարձր է, թիրախային բլանկի մանրաթելային կառուցվածքն ավելի հաստ է, մինչդեռ թիրախային բլանկի կառուցվածքը ավելի նուրբ է:Երբ տաք գլանվածքի եկամտաբերությունը 95%-ից բարձր է:Թեև մանրաթելերի կառուցվածքի տարբերությունը, որը առաջանում է տարբեր սինթրման սկզբնական հացահատիկի կամ գլանման ջերմաստիճանի պատճառով, կվերացվի, թիրախի ներսում կձևավորվի ավելի միատարր մանրաթելային կառուցվածք, ուստի որքան բարձր է ջերմ գլորման մշակման արագությունը, այնքան ավելի լավ է թիրախի կատարումը:
Հրապարակման ժամանակը` մայիս-05-2022